![理想晶延半导体设备(上海)有限公司](http://img.czvv.com/logo/57dd507800327648a6243a71/57dd507800327648a6243a71.png)
理想晶延半导体设备(上海)有限公司 main business:半导体制造设备、检测专用设备及配件的研究、开发、设计、销售,计算机软硬件的开发、设计、销售,系统集成,并提供相关的技术咨询、技术服务、技术转让。【yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 913100000693360474
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司
- 2013年5月22日
- 朱敏
- 4662.507700万人民币
- 至 永久
- 自贸试验区分局
- 2013年5月22日
- 中国(上海)自由贸易试验区居里路1号2幢302室
- 半导体制造设备、检测专用设备及配件的研究、开发、设计、销售,计算机软硬件的开发、设计、销售,系统集成,并提供相关的技术咨询、技术服务、技术转让。【yfpz】
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106032573A | 半导体处理设备 | 2016.10.19 | 本发明的半导体处理设备,其包括:进气装置,所述进气装`置包括:第一出气口,其用于向所述待处理衬底输送 |
2 | CN104213104B | 化学气相沉积中衬底温度的控制方法 | 2016.07.13 | 本发明涉及一种化学气相中沉积衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制, |
3 | CN104183532B | 用于承载基片的基座及其基片处理的方法 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种用于承载基片的基座,所述基片具有承载面与处理表面,所述基座包括承载部和基片夹具,所述承 |
4 | CN104141116B | 金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法 | 2017.04.05 | 本发明涉及一种金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法,所述气体喷淋组件包括第一 |
5 | CN106158569A | 半导体处理设备 | 2016.11.23 | 本发明涉及半导体处理技术领域,特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计 |
6 | CN106148918A | 半导体处理设备 | 2016.11.23 | 本发明涉及半导体处理技术领域,特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计 |
7 | CN104178747B | 分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置 | 2016.08.24 | 本发明涉及一种分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置,所述气体喷淋组件包括第一进气管路、第二进 |
8 | CN104213104A | 化学气相沉积中衬底温度的控制方法 | 2014.12.17 | 本发明涉及一种化学气相中沉积衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制, |
9 | CN104183532A | 用于承载基片的基座及其基片处理的方法 | 2014.12.03 | 本发明涉及一种用于承载基片的基座,所述基片具有承载面与处理表面,所述基座包括承载部和基片夹具,所述承 |
10 | CN104178747A | 分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置 | 2014.12.03 | 本发明涉及一种分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置,所述气体喷淋组件包括第一进气管路、第二进 |
11 | CN104141116A | 金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法 | 2014.11.12 | 本发明涉及一种金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法,所述气体喷淋组件包括第一 |
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