理想晶延半导体设备(上海)有限公司
企业简介

理想晶延半导体设备(上海)有限公司 main business:半导体制造设备、检测专用设备及配件的研究、开发、设计、销售,计算机软硬件的开发、设计、销售,系统集成,并提供相关的技术咨询、技术服务、技术转让。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 中国(上海)自由贸易试验区居里路1号2幢302室.

If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.

理想晶延半导体设备(上海)有限公司的工商信息
  • 913100000693360474
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司
  • 2013年5月22日
  • 朱敏
  • 4662.507700万人民币
  • 至 永久
  • 自贸试验区分局
  • 2013年5月22日
  • 中国(上海)自由贸易试验区居里路1号2幢302室
  • 半导体制造设备、检测专用设备及配件的研究、开发、设计、销售,计算机软硬件的开发、设计、销售,系统集成,并提供相关的技术咨询、技术服务、技术转让。【&#yfpz】
理想晶延半导体设备(上海)有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106032573A 半导体处理设备 2016.10.19 本发明的半导体处理设备,其包括:进气装置,所述进气装`置包括:第一出气口,其用于向所述待处理衬底输送
2 CN104213104B 化学气相沉积中衬底温度的控制方法 2016.07.13 本发明涉及一种化学气相中沉积衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制,
3 CN104183532B 用于承载基片的基座及其基片处理的方法 2017.04.12 本发明涉及一种用于承载基片的基座,所述基片具有承载面与处理表面,所述基座包括承载部和基片夹具,所述承
4 CN104141116B 金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法 2017.04.05 本发明涉及一种金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法,所述气体喷淋组件包括第一
5 CN106158569A 半导体处理设备 2016.11.23 本发明涉及半导体处理技术领域,特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计
6 CN106148918A 半导体处理设备 2016.11.23 本发明涉及半导体处理技术领域,特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计
7 CN104178747B 分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置 2016.08.24 本发明涉及一种分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置,所述气体喷淋组件包括第一进气管路、第二进
8 CN104213104A 化学气相沉积中衬底温度的控制方法 2014.12.17 本发明涉及一种化学气相中沉积衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制,
9 CN104183532A 用于承载基片的基座及其基片处理的方法 2014.12.03 本发明涉及一种用于承载基片的基座,所述基片具有承载面与处理表面,所述基座包括承载部和基片夹具,所述承
10 CN104178747A 分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置 2014.12.03 本发明涉及一种分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置,所述气体喷淋组件包括第一进气管路、第二进
11 CN104141116A 金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法 2014.11.12 本发明涉及一种金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法,所述气体喷淋组件包括第一
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
猜你喜欢